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    涂層鍍膜用鈦靶管

    材質:TA1(Grade1)、Grade2、TP340、Ti-5N

    執行標準: ASTM F2884、GB/T 38976-2020、SEMI F47-0708

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    發布日期: 2023-04-28 11:22:45

    全國熱線: 0917-3376170

    詳細描述 / Detailed description

    以下凱澤金屬是關于涂層鍍膜用鈦靶管的系統解析,涵蓋定義、性能、應用及與其他金屬靶管的對比,結合技術參數與工程實踐總結:

    1、鈦靶管的定義

    鈦靶管是一種中空圓柱形鈦金屬濺射靶材,專為旋轉陰極磁控濺射設計,通過高速旋轉(200-500 rpm)實現動態鍍膜,顯著提升材料利用率(達80-90%,遠超平面靶的40-60%)。其典型尺寸范圍為Φ50-500 mm×長度1-3 m,壁厚5-15 mm,適用于大面積連續鍍膜場景(如卷繞式鍍膜生產線)。

    2、性能特點

    特性技術指標/描述核心優勢
    純度≥99.9%(3N級),光學級需≥99.999%(5N)減少膜層雜質缺陷(如針孔、晶界氧化)
    密度≥4.5 g/cm3(理論密度4.506 g/cm3)高濺射速率(0.6 μm/min @ 5 kW)
    晶粒均勻性晶粒尺寸≤50 μm(EBM工藝≤20 μm)膜厚均勻性CV≤3%(平面靶CV≥8%)
    機械強度抗彎強度≥300 MPa(壁厚≥5 mm)耐受高速旋轉離心力(500 rpm時應力≤80 MPa)
    熱導率21.9 W/(m·K)(20℃)支持高功率濺射(10-15 kW)

    3、常用材質牌號

    標準體系牌號純度典型應用場景
    ASTM B338Grade 299.7%工具硬質涂層(TiN、TiAlN)
    GB/T 3620.1TA199.9%手機蓋板防指紋膜(AF涂層)
    JIS H 4650TP34099.8%顯示面板ITO透明導電層
    高純級Ti-5N99.999%EUV光刻機反射鏡鍍膜

    4、執行標準

    標準類型標準編號關鍵要求
    國際標準ASTM F2884晶粒度≤ASTM 6級(晶粒尺寸≤50 μm)
    中國標準GB/T 38976-2020雜質總量≤0.01%(Al≤50 ppm、Fe≤100 ppm)
    行業規范SEMI F47-0708電阻率≤50 μΩ·cm(半導體級要求)

    5、應用領域

    領域具體應用性能要求
    顯示面板OLED陽極層(Ag/Ti疊層)方阻≤5 Ω/□,厚度均勻性±2%
    光伏產業薄膜太陽能電池背電極(Mo/Ti)附著力≥3B(ASTM D3359)
    醫療器械人工關節抗菌涂層(TiN/TiO?)符合ISO 10993生物相容性標準
    汽車工業車窗Low-E隔熱膜耐溫循環(-30~300℃,1000次)

    6、與其他金屬靶管的區別

    參數鈦靶管鎳靶管鋯靶管
    熔點(℃)166814551852
    濺射率0.6(Ar+ 500eV)1.1(更高效率)0.5(較低效率)
    電阻率(μΩ·cm)426.9(導電性優)40
    成本(元/kg)800-1500200-400(低成本)2000-3000(高成本)
    核心應用硬質涂層、光學鍍膜磁性薄膜、電極層核反應堆防腐涂層

    7、選購方法

    參數匹配:

    尺寸:內徑公差需與旋轉陰極軸匹配(推薦H7/g6間隙配合),長度按鍍膜腔體設計(如G10.5代線需Φ450×2500 mm靶管)。

    純度:光學級需提供GDMS報告(Fe<50 ppm、O<100 ppm),半導體級需滿足SEMI F47標準。

    質量驗證:

    超聲波探傷(UT):檢測壁厚均勻性(偏差≤±0.2 mm)。

    EBSD分析:擇優取向(002)面占比≥60%,提升濺射效率20%。

    供應商篩選:

    優先選擇具備 電子束熔煉(EBM)+熱等靜壓(HIP) 工藝的廠家,確保低氧含量(O≤300 ppm)。

    核查 ISO 9001 和 IATF 16949 認證,確保量產一致性。

    8、注意事項

    安裝與維護:

    同心度:偏差≤0.05 mm/m,避免旋轉振動導致膜層波紋(粗糙度Ra≥0.5 μm)。

    冷卻系統:水溫控制在15-25℃,流量≥20 L/min,防止靶管熱變形(ΔL≤0.1 mm/m)。

    安全規范:

    粉塵防爆:鈦粉塵爆炸下限45 g/m3,加工區需配置 NFPA 68 標準防爆系統。

    廢靶處理:磨損至壁厚50%(如初始10 mm剩5 mm)時需更換,廢靶按危廢標準回收。

    工藝優化:

    使用 中頻電源(40 kHz) 時,靶管厚度需≥6 mm,防止電弧擊穿(擊穿電壓≤500 V)。

    鈦靶管憑借高材料利用率與鍍膜均勻性,在顯示面板(如8K OLED)和光伏領域占據主導地位。相較于鎳靶管,其成本高3-4倍,但耐高溫性優異(Ti熔點比Ni高213℃),適用于硬質涂層;對比鋯靶管,鈦靶管的濺射速率快20%,且成本僅為1/3。在采購時需重點關注 晶粒取向控制 與 雜質元素溯源,例如采用EBM工藝的(002)取向靶管可使膜層沉積速率提升15-20%,同時降低光學散射損耗至0.1%以下。

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