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    裝飾鍍膜用純鈦靶管

    材質:TA1(Grade1)

    執行標準: GB/T 3620.1、GB/T 3625、SJ/T 11609-2016、JB/T 8554、ASTM B338、ISO 5832-2

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    發布日期: 2022-10-10 11:39:28

    全國熱線: 0917-3376170

    詳細描述 / Detailed description

    1、定義

    TA1純鈦靶管是以中國國家標準 GB/T 3620.1 中的 TA1(工業純鈦) 為基礎材料,通過二次提純和精密加工制成的空心圓柱形濺射靶材。其純度通過特殊工藝提升 99.9%(3N級) 以上,結合管狀結構的旋轉濺射優勢,適用于高效、連續的鍍膜生產,尤其在裝飾鍍層、工業耐磨涂層及中端光學鍍膜領域表現突出。

    2、性能特點

    純度與雜質控制:

    基礎TA1純度 99.5%,提純后≥99.9%(Fe≤0.05%,O≤0.15%,C≤0.03%)。

    雜質定向去除,避免薄膜針孔或電學性能波動。

    結構優勢:

    空心管狀設計,旋轉濺射利用率達 70-80%,顯著降低材料浪費。

    壁厚均勻性 ±0.1 mm,濺射膜厚偏差≤±3%。

    耐腐蝕性:

    在5% NaCl溶液中年腐蝕速率≤0.005 mm,適合海洋環境或化工設備鍍層。

    熱管理性能:

    復合銅背板設計,導熱系數≥200 W/m·K,適配高功率濺射(≤15 W/cm2)。

    3、材質與制造工藝

    材質:

    基材:TA1鈦(GB/T 3620.1),經 電子束區域熔煉(EBZM) 提純至3N級。

    背板:內壁復合無氧銅(OFC,Cu≥99.99%)以增強散熱和機械支撐。

    制造工藝:

    原料提純:

    真空自耗電弧熔煉(VAR):去除揮發性雜質(如Cl、S)。

    電子束熔煉(EBM):定向凝固,Fe含量降至≤50 ppm。

    管材成型:

    熱擠壓(900-1000°C) → 旋壓冷軋 → 退火(消除應力)。

    精密加工:

    真空電子束焊接(EBW) 密封管端,確保濺射時無氣體泄漏。

    內外壁鏡面拋光(Ra≤0.6 μm),超聲波清洗去除表面污染物。

    復合處理:

    鈦-銅界面通過 真空擴散焊(溫度800°C,壓力50 MPa)實現高強度結合(≥200 MPa)。

    4、執行標準

    標準類型具體標準
    國內標準GB/T 3620.1(TA1工業純鈦)、GB/T 3625(鈦及鈦合金管材)
    行業規范SJ/T 11609-2016(濺射靶材通用技術條件)、JB/T 8554(工業涂層性能要求)
    國際參考ASTM B338(鈦及鈦合金無縫管)、ISO 5832-2(醫用鈦材性能參考)

    5、應用領域

    裝飾鍍膜:

    智能設備外殼的 氮化鈦(TiN)仿金鍍層(顏色均勻性優于電鍍工藝)。

    高端廚具的 碳化鈦(TiC)黑色涂層(耐刮擦、防指紋)。

    工業耐磨涂層:

    注塑模具的 TiCN涂層(摩擦系數≤0.25,壽命提升3-5倍)。

    紡織機械導輥的 純鈦鍍層(耐纖維磨損,降低維護頻率)。

    中端光學器件:

    相機濾鏡的 增透膜(400-700 nm波段透過率≥97%)。

    LED封裝反射層的 鈦基高反射膜(反射率≥92%)。

    防腐工程:

    海洋平臺螺栓的 CrTiN復合鍍層(耐鹽霧≥1000小時)。

    化工閥門的 純鈦防護層(耐酸堿腐蝕,替代哈氏合金)。

    6、與其他鈦靶管的異同對比

    特性TA1純鈦靶管(3N級)TA2鈦靶管4N5級純鈦靶管鈦合金靶管(Ti6Al4V)
    純度99.9%(Fe≤0.05%)99.5%(Fe≤0.20%)99.995%(Fe≤0.005%)90% Ti + 6% Al + 4% V
    成本中(¥600-1000/kg)低(¥400-800/kg)高(¥2000-4000/kg)中高(¥1000-1500/kg)
    耐溫性≤600°C(氧化前)≤500°C≤800°C≤400°C(Al易氧化)
    適用工藝中功率濺射(≤12 W/cm2)低功率濺射高功率濺射(≤20 W/cm2)共濺射(需Al/V靶配合)
    薄膜性能耐磨/裝飾均衡基礎防護超低缺陷(半導體級)高硬度但易氧化
    典型應用工具鍍層、中端光學防腐鍍層、裝飾半導體/精密光學航空耐磨部件

    7、選購方法與注意事項

    選購方法

    純度與雜質檢測:

    要求供應商提供 ICP-MS檢測報告,確認Fe≤50 ppm、O≤150 ppm。

    若用于光學鍍膜,需額外控制 Al、Si≤10 ppm。

    幾何精度驗證:

    壁厚公差 ±0.1 mm,同心度≤0.05 mm,直線度≤0.1 mm/m(激光掃描檢測)。

    微觀結構分析:

    SEM+EDS:晶粒尺寸≤80 μm,無氣孔、裂紋(氣孔率≤0.2%)。

    供應商篩選:

    優先選擇具備 EBM+EBW一體化工藝 的廠商(如寶雞鈦業、西部超導)。

    驗證是否通過 ISO 9001 及 IATF 16949(汽車行業)認證。

    注意事項

    儲存與預處理:

    真空鋁箔袋充氬封裝,儲存溫度 15-25°C,濕度<30% RH。

    使用前 氬離子轟擊清洗(功率 5 W/cm2,時間 20分鐘),去除表面氧化層。

    工藝優化:

    TiN涂層:氮氣占比 40-60%,基片溫度 200-350°C,偏壓 -50至-100 V。

    純鈦鍍層:氬氣純度≥99.999%,濺射氣壓 0.3-0.5 Pa,避免氧污染。

    維護與報廢:

    定期檢查壁厚(剩余厚度<1 mm時更換),防止冷卻液泄漏。

    報廢靶管可重熔再生,但需控制 O含量增量≤100 ppm。

    TA1純鈦靶管通過提純工藝在保留工業純鈦成本優勢的同時,顯著提升了雜質控制水平與濺射效率,成為中端鍍膜市場的理想選擇。其性價比優于4N5級靶管,且比TA2靶管更適合要求較高的耐磨與光學應用。選購時需嚴格把控純度、幾何精度及供應商的工藝成熟度,使用中需優化濺射參數并定期維護。對于半導體或超精密光學等高端領域,仍需選用4N5級以上靶材;而在工具強化、裝飾鍍層及一般工業防護場景,TA1純鈦靶管可實現性能與成本的最佳平衡。

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