磁控濺射鍍膜以其高速、低溫、低損傷等特點，可被用于濺射半導體、金屬、絕緣體等幾乎任何材料。因其具有制備簡單、附著力強、鍍膜面積大及易于控制等優點，廣泛應用于電子行業、信息存儲產業及其他領域，如激光存儲器、集成電路、信息存儲、薄膜電阻、電子控制器件、磁記錄、玻璃鍍膜、表面工程及高檔裝飾等問。磁控濺射高純鉻靶材是近年來新研制和開發的一種靶材，保守估計年需求量40-50t,市場規模仍在不斷擴大。因而針對市場大量需求，選擇合理的制備方法，有效控制批產成本，制備高品質的鉻靶材就顯得尤為重要。
1、高純鉻濺射靶材的制備方法
目前制備鉻靶材方法主要有熔煉鑄錠法和粉末冶金法，二者各有優缺點。
1.1熔煉鑄錠法
熔煉鑄錠法是制備鉻濺射靶材的主要方法之一，通過該方法可獲得較高純度、高度致密性的靶材。圖1所示為熔煉鑄錠法制備鉻濺射靶材的工藝流程示意圖。首先將鉻棒通過單聯或雙聯(電弧熔煉、真空感應熔煉、電渣重熔)工藝進行熔煉，然后將得到的純度較高的鑄錠或坯料進行熱鍛、退火、軋制、成品退火等二次加工，最后精加工成所需靶材。
熔煉錠或坯料晶粒粗大,熱鍛可改善鑄造組織，使氣孔或偏析擴散、消失，再通過再結晶退火，可以得到100pm以下的晶粒。
賈國斌等人通過多年的技術積累和不斷的科研創新，自主研制出第一臺大型高效電子束冷床熔煉爐，并成功生產出高質量的鉻棒和鈦棒，尺寸為0300mmxl500mm,該技術解決了難熔金屬熔煉鑄錠行業的難題。
熔煉鑄錠法是制備鉻靶材的基本方法之一，制備的靶材組織致密、性能優異，但受制于成型方法不可避免會出現成分偏析、晶粒尺寸和織構均勻性較難控制、工序繁雜等缺點。
1.2粉末冶金法
粉末冶金法制備鉻濺射靶材的具體工藝主要有無壓燒結、熱壓(HP)、熱等靜壓(HIP)等。無壓燒結方法的優勢在于工序簡單、可以制備致密度要求不高的大尺寸靶材；但受限于方法本身，產品致密度不高。如果產品致密度要求較高，可將無壓燒結與軋制結合起來。熱壓法是制備純鉻靶材常用的方法，由于粉末或壓坯只是單向加壓，靶材不能完全致密且存在密度梯度；該方法的優點在于工藝簡單、成本較低，但只能制備較小尺寸靶材，生產效率較低。
張新房間研究了不同加工方法下濺射錚靶材的密度，結果表明采用模壓+燒結或冷等靜壓+燒結的方法均可制備Cr管靶材，兩種方法制備的管靶尺寸相當，其外徑×內徑×高為φ56.0mm×045.9mm×38.0mm,冷等靜壓+燒結的方法在密度和純度性能方面略優于模壓+燒結，其最大密度為5.928×103kg/m3，最大純度為82.3%；采用熱壓方法制備的Cr合金靶材，其尺寸為φ60mm×30mm,密度為8.363x103kg/n3,純度為98.4%。張青來問等人采用氮氣氣體保護熱壓法成功生產了純輅及鉻合金靶材，主要工藝參數為加熱溫度：1100?1300°C,保溫時間30~60min,隨爐冷卻至600°C以下出爐；靶坯有明顯收縮，但無裂紋、無脹形現象，致密度大于98%。通過系列試驗表明：在確保靶環產品燒結密度前提下，通過不斷優化燒結工藝參數，靶環燒結成本可大大降低，降幅約達30%以上。
熱等靜壓法是制備鉻靶材的有效方法。由于該方法將粉末成形和燒結兩步作業合并成一步，可以對粉體均勻施壓,產品密度接近材料理論密度，克服了溫度高的缺點，制品晶粒細小，還可依據爐腔尺寸制備大尺寸靶材，具有生產效率高、成本低的優點。
圖2為西安嘉業航空科技有限公司采用熱等靜壓法制備輅濺射靶材的工藝流程示意圖。熱等靜壓通常的制備流程為:①首先設計包套,安排合理加工方法制備包套。在無塵車間內將粉末填入包套，可采用邊震動邊裝粉或粉末先經冷等靜壓后再裝入包套等方法提高粉末的裝填密度；②在熱處理爐中高溫下抽空包套，直至所需真空度，熱態夾死抽氣管并封焊；③將上述包套置于熱等靜壓爐中進行熱等靜壓處理；④熱等靜壓處理后采用機加方法或電化學腐蝕去除包套;⑤用線切割或水切方法切割靶材，獲得所需尺寸的產品。
圖3所示為西安嘉業航空科技有限公司按上述流程制備的HIP處理后純鉻靶材裝配體，裝配體總長約650mm。圖4為去除包套后純輅靶材圓柱體，經檢測該圓柱體致密度高達99.86%、晶粒細小、濺射性能優異。
2、高純鉻濺射靶材的特性
2.1純度
高純度是濺射鉻靶材的首要條件，純度的高低直接影響著濺射薄膜的性能，純度越高，性能越好。
不同用途的靶材產品對純度要求也不一樣，半導體、顯示器等領域用的靶材對純度要求十分嚴格，純度要達到99.95%(3N5)以上創。一般工業用靶材對純度要求并不高，達到99%以上即可使用。
制備高純的鉻濺射靶材，首先是原材料采用高純的鉻粉，其次是在制備過程中防止雜質或異物的進入，可在無塵車間進行裝粉作業。目前，國外制備高純的鉻濺射靶材，所用的鉻原材料粉末純度已達到6N以上聞。然而由于國內制粉技術起步較晚，所制備的鉆粉純度還停留在4N水平，其中西北地區制粉技術較領先的公司有：陜西斯瑞新材料股份有限公司和西安歐中材料科技有限公司，生產的鉻粉純度為99.995%。
2.2致密度
為提高濺射薄膜性能，首當其沖需制備致密度較高的濺射輅靶材。高純鉆靶材的致密度主要由制備工藝決定。受限于制備條件，無壓燒結法制備的鉻靶材中極有可能含有一定數量的氣孔，氣孔的存在會導致濺射時產生不正常放電而產生雜質粒子，直接影響薄膜性能％熱壓燒結制備的鉻靶材雖然致密度有一定提升，但在靶材的橫向和縱向存在密
度不均勻現象，薄膜性能不均一。熱等靜壓法制備的鉻靶材組織均勻、晶粒細小，密度接近于理論密度。不同用途的靶材產品對致密度要求也不一樣，一般工業用靶材致密度達到99.0%以上即可，其中西安嘉業航空科技有限公司采用熱等靜壓方法制備了純輅靶材圓柱體，致密度高達99.86%。
2.3晶粒尺寸
通常鉻靶材為多晶結構，晶粒尺寸的大小直接影響著濺射速度。研究表明晶粒細小的靶材濺射速率要比晶粒粗大的快，并且晶粒尺寸整體差異較小的鉆靶材通過濺射后沉積的薄膜厚度分布比較均勻㈣。目前國內生產的鉻靶材平均晶粒度為100μm左右。西安嘉業航空科技有限公司生產的鉻靶材致密度高達99.86%,組織均勻細小，平均晶粒度為
80μm,產品質量處于國內高可靠性。
2.4結晶取向
金屬輅晶體結構是體心立方。在靶材磁控濺射過程中，晶粒取向越趨于一致，濺射時薄膜沉積速率越快，并且薄膜厚度均勻性越好。原子容易沿六方最緊密排列方向擇優濺射岀來，因此可采用不同的成型方法及熱處理工藝控制靶材結晶結構，獲得一定結晶取向的靶材來提高濺射速率。
2.5幾何形狀
鉻靶材后期機械加工精度和加工表面質量亦影響薄膜性能。如果靶材表面存在尖端或凸起，在濺射過程中存在尖端效應，這些尖端或凸起的電勢大幅提高，從而擊穿介質放電。在磁控濺射前，需將靶材與導電性好的無氧銅或鋁等其他材料做成的底座連接在一起，保證濺射過程時靶材與底盤具有良好的導電導熱性能問。結合的濺射靶材經過超聲波檢測，需保證兩者的不結合區域小于2%,才能滿足大功率濺射要求。
3、高純鉻濺射靶材存在問題及發展趨勢
目前制備高純銘靶材存在的問題主要有：國內制備超高純粉末原材料技術落后、產品純度不高、大尺寸靶材難以制備、靶材生產效率低及成本高、使用過程中靶材利用率低等問題，這些問題限制了靶材的進一步應用。
3.1制備大尺寸濺射錚靶材
隨著電子行業突飛猛進發展，平面顯示器的尺寸逐漸增大，濺射靶材所需的基板尺寸也越來越大型化，因此相應濺射靶材的尺寸規格也相應增大網。
這時，確保大尺寸濺射靶材的尺寸規格、晶粒細小均一、高度致密，就成為鉻靶材制造廠商所需要解決的最大問題。選擇合適的制造大尺寸、高品質的靶材技術迫在眉睫。熱等靜壓技術可有效解決以上難題。
熱等靜壓技術可依據客戶要求和爐腔尺寸，靈活設計生產圓靶、管靶、方靶。西安嘉業航空科技有限公司在制備圓柱體鉻靶材時，每爐最大生產產品重量約1T,提高生產效率的同時降低了成本。
3.2超高純濺射鉻靶材開發
根據目前市場上高純鉻濺射靶材的研究現狀，由于國內制備粉末原材料技術略晚于國外，因而生產的高純金屬原材料粉末與國外發達國家還有一定差距。目前，國內生產的多數高純金屬粉末僅達到4N水平，個別企業可達到5N水平，還不能夠滿足高端或超高端薄膜濺射靶材的質量要求。因此，對于國內而言，發展超高純的輅濺射薄膜靶材任重而道遠。
3.3提高語濺射靶材利用率
傳統的平面磁控濺射靶材的利用率較低，只有50%左右。近年來，隨著技術的升級,磁控濺射設備逐步改善，相應管狀旋轉靶材結構設計應運而生，濺射靶材的利用率已達到80%以上㈣。因此，提高靶材利用率的關鍵在于實現濺射設備的更新換代和新型結構靶材的開發，如何提高濺射靶材利用率仍然是今后研究設計靶材和濺射設備的主要發展方向之一。
4、展望
隨著電子行業、信息存儲產業、太陽能電池等高技術產業的快速發展，預計LCD射靶材的消費量年增長率約為20%,中國靶材市場已逐漸成為世界薄膜靶材的最大需求地區之一，這為高純鉻濺射靶材制造業提供了機遇和挑戰。
如何解決目前高純常靶材制備過程中存在的純度不高、大尺寸靶材難以制備、靶材生產效率低及成本高、使用過程中靶材利用率低、先進磁控濺射設備開發等問題，為國內外客戶提供高性價比的濺射靶材，是國內材料工作者迫在眉睫的現實問題。因此，為提高我國高純、超高純鉻靶材所屬的新材料領域競爭力，需要得到國家的高度重視，從原材料生產到產業中游設備制造再到靶材制備最后到下游鍍膜應用，整個產業鏈必將帶動行業的發展,創造可觀的經濟效益和社會價值。
參考文獻：
[1]賈國斌，馮寅楠，賈英?磁控濺射用難熔金屬靶材制作、應用于發展卩].金屬功能材料,201623(6)：49-51.
[2]董亭義，萬小勇，章程，等.磁控濺射鈦靶材的發展概述[J].金屬功能材料,2017,24(5):57-61.
[3]賈國斌，尹中榮.電子束技術在難熔金屬行業的應用[J].稀有金屬材料與工程,2012,41(2):113.
[4]張新房.粉末冶金法制高純濺射鉻靶材的方法[J].山西冶金，2014,37(4):13-14.
[5]張青來，賀繼弘.粉末冶金高純鉻和鉛合金濺射靶材燒結工藝研究[J].金屬成形工藝,2003,21(6):83-85.
[6]Kun-MingChen,Deng-AnTsai,Hao-ChiaLiaoetc.InvestigationofAl-Cralloytargetssinteredbyvariouspowdermetallurgymeth-odsandtheirparticlegenerationbehaviorsinsputteringprocess[J].JournalofAlloysandCompounds,2016,663(5):52-59.
[7]張世賢，譚中熊，李世欽，等.熱等靜壓Cr-Si靶材的特性及微結構研究[J].粉末冶金材料科學與工程,2007,12(5):276-283.
[8]MakhtariA,LaViaF,Rainneri,etal.Structuralcharacterizationoftitaniumsiliconcarbidereaction[J].MicroelectronicEngineering,2001,55(1):375.
[9]安耿，李晶，劉仁智，等.鉗濺射靶材的應用、制備及發展[J].中國鉗業,2011,35(2):45-46.
[10]郝小雷?組織均勻鋰濺射靶材的制備現狀[J].山東工業技術，2017,63(2):158-159.
[11]楊帆，王快社，胡平，等.高純鈕濺射靶材的研究現狀及發展趨勢[J].熱加工工藝,2013,42(24):10.
[12]陳建軍，楊慶山，賀豐收.濺射靶材的種類、應用、制備及發展趨勢[J].湖南有色金屬,2016.16(4):38-40.
[13]鄭金鳳，扈百直，楊國啟，等.高純鉉濺射靶材制備工藝進展[J].湖南有色金屬,2016,32(4):54-58.
[14]遲偉光，張鳳戈，王鐵軍，等?濺射靶材的應用及發展前景[J].新材料產業,2010,11(2):6-8.
[15]王國棟，王艷，李高林，等.濺射用優質錠靶材的制備[JJ.稀有金屬材料科學與工程,2008,37(4)：532-533.
[16]趙寶華，范海波，孫院軍，等.TFT-LCD制造用鈕薄膜濺射及其靶材[J].中國鉗業,2011,35(1):7-10.
[17]張冷，張維佳，宋登元，等.銅鋼傢硒薄膜的真空制備及靶材研究現狀[J].功能材料,2013,44(14):1990-1994.
相關鏈接
