鉻靶材料的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)與下游應(yīng)用行業(yè)薄膜技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)密切相關(guān)。 隨著應(yīng)用行業(yè)中薄膜產(chǎn)品或組件技術(shù)的進(jìn)步，鉻靶目標(biāo)技術(shù)也應(yīng)隨之改變。
微電子領(lǐng)域：在所有應(yīng)用行業(yè)中，半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)目標(biāo)濺射膜鉻靶的質(zhì)量要求較為嚴(yán)格。 現(xiàn)在，已經(jīng)制造出12英寸（300插槽）的硅晶片。 但是，互連線的寬度正在減小。鉻靶價(jià)格、鉻靶批發(fā)制造商對(duì)鉻靶的要求是大尺寸，高純度，低偏析和細(xì)晶粒，這要求所制造的鉻靶具有更好的微觀結(jié)構(gòu)。 鉻靶的結(jié)晶粒徑和均勻性被認(rèn)為是影響膜沉積速率的關(guān)鍵因素。 另外，薄膜的純度與靶材的純度有很大的關(guān)系。
過(guò)去，純度為99.995％（4N5）的銅靶材可以滿足鉻靶價(jià)格、鉻靶批發(fā)制造商對(duì)0.35pm工藝的需求，但不能滿足當(dāng)前0.25um工藝要求。 對(duì)于0.18um技術(shù)甚至0.13m工藝，要求的目標(biāo)純度須達(dá)到5甚至6N或更高。 與鋁相比，銅具有更高的耐電遷移性和較低的電阻率。
鉻靶導(dǎo)體技術(shù)需要低于0.25um的亞微米布線，但帶來(lái)了其他問(wèn)題：銅與有機(jī)介電材料之間的粘合強(qiáng)度低。 而且它很容易反應(yīng)，導(dǎo)致芯片的銅互連在使用過(guò)程中被腐蝕和斷開。 為了解決這些問(wèn)題，需要在銅和電介質(zhì)層之間設(shè)置阻擋層。 阻擋層材料通常使用具有高熔點(diǎn)和高電阻率的金屬及其化合物。
鉻靶生產(chǎn)廠家告訴你，勢(shì)壘層的厚度要求小于50nm，并且對(duì)銅和電介質(zhì)材料的粘附性能良好。 銅互連和鋁互連的阻擋層材料不同。 需要開發(fā)新的目標(biāo)材料。 銅互連阻擋層的目標(biāo)材料包括Ta，W，TaSi，WSi等。但是Ta和W都是難熔金屬。 生產(chǎn)相對(duì)困難。 如今，正在研究鉬，鉻靶等作為替代材料。
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