濺射靶材在生產(chǎn)過程過有個環(huán)節(jié)是真空鍍膜，在真空鍍膜中，方法主要有蒸發(fā)鍍膜和濺射鍍膜，其中濺射鍍膜又可以分為不同種類，凱澤金屬結合各類靶材的深加工、銷售經(jīng)驗以及相關資料，將濺射鍍膜靶材的分類方法與特點，整理如下：
一、按電極結構分類
1、磁控濺射
磁控濺射也可以叫做高速低溫濺射，在與靶表面平行的方向上施加磁場，利用電場和磁場相互垂直的磁控管原理減少電子對基的轟擊，使高速濺射成為可能。對Cu來說，濺射沉積速率為1.8μm/min時，溫升為2℃／μm。CU的自濺射可在10-6Pa的低壓下進行。
2、二極濺射
二級濺射的特點是構造簡單，在大面積的基板上可以制取均勻的薄膜，放電電流流隨氣壓和電壓的變化而變化。
3、三或四極濺射
三或四極濺射特點為可實現(xiàn)低氣壓、低電醫(yī)濺射，放電電流和轟擊靶的離子能量可獨立調(diào)節(jié)控制。可自動控制靶的電流。也可進行射頻濺射。
二、其他分類
1、偏壓濺射
（1）偏壓濺射特點是在鍍膜過程中同時清除基板上輕質量的帶電粒子，從而使基板中不含有不純氣體，如H20、N2等殘留氣體等。
（2）偏壓濺射就是在成膜的基板上施加幾百伏的負偏壓，可使膜層致密、改善膜層的性能。
（3）偏壓濺射與二極濺射的區(qū)別在于基片上施加固定直流偏壓，若施加的是負偏壓，則在薄膜淀積過程中，基片表面都將受到氣體離子的穩(wěn)定轟擊，隨時清除可能進入薄膜表面的氣體，有利于提高薄膜的純度，另外偏壓濺射還可以改變淀積薄膜的結構。
2、對向靶濺射
對向靶濺射特點是兩個靶對向布置，在直于靶的表面方向加上磁場，基板位于磁場之外。可以對磁性材料行高速低溫濺射。對向靶濺射的優(yōu)點是濺射速率高，基板溫度低，可淀積磁性薄膜。
3、射頻濺射
（1）射頻濺射特點是開始是為了制取絕緣體如石英、玻璃、Al2O3的薄膜而研制的。也可射鍍制金屬膜。靶表面加磁場可以進行磁控射頻濺射。
（2）射頻濺射是利用射頻放電等離子體中的正離子轟擊靶材、濺射出靶材原子從而沉積在接地的基板表面的技術。射頻濺射幾乎可以用來沉積任何固體材料的薄膜，獲得的薄膜致密、純度高、與基片附著牢固、建設速率大、工藝重復性好。常用來沉積各種合金膜、磁性膜以及其他功能膜。
（3）射頻濺射是在射頻電壓作用下，利用電子和離子運動特征的不同，在靶的表面感應出負的直流脈沖，而產(chǎn)生濺射現(xiàn)象，能對絕緣體進行濺射鍍膜。
4、離子束濺射
離子束濺射又稱離子束沉積，是在離子束技術基礎上發(fā)展起來的新的成膜技術，特點在高真空下，利用離子束濺射鍍膜，是非等離子體狀態(tài)下的成膜過程。靶接地電位也可，丕可以進行反應離子束濺射。雖然這種鍍膜技術所設計到現(xiàn)象比較復雜，但通過核實的選擇靶材及例子能量、種類等，可以比較容易地制取各種不同的金屬、氧化物、氮化物及其他化合物等薄膜，特別適合制作多組元金屬氧化物薄膜。目前這一技術已在磁性材料、超導材料以及其他電子材料的薄膜制備方面得到應用，
5、反應濺射
反應濺射是指在存在反應氣體的情況下，濺射靶材時，靶材會與反應氣體反應形成化合物，如氮化物或氧化物，在惰性氣體濺射化合物靶材時由于化學不穩(wěn)定性往往導致薄膜較靶材少一個或更多組分，此時如果加上反應氣體可以補償所缺少的組分，這種濺射也可以視為反應濺射。反應物之間產(chǎn)生反應的必要條件是，反應物分子必須有足夠高的能量以克服分子間的勢壘。
以上就是靶材濺射鍍膜的種類及特點介紹，希望能幫助大家對靶材行業(yè)有所了解。在按電極結構分類中磁控濺射是在二級濺射和三級濺射的基礎上發(fā)展起來的，由于磁控濺射可在低溫和低損傷條件下實現(xiàn)高速沉積，已成為目前靶材生產(chǎn)的主要方式。寶雞市凱澤金屬材料有限公司是一家研發(fā)生產(chǎn)鈦靶、鉻靶、鋯靶、鎳靶、鈦鋁靶、鈦絲、鈦加工件、鈦鍛件等金屬材料為主的高新技術企業(yè)，十余年專注于濺射靶材、鍍膜靶材、平面多弧靶材研發(fā)、生產(chǎn)，靶材組織結構均勻、濺射成膜性能優(yōu)異，如果您對靶材有疑問或需要，歡迎聯(lián)系凱澤金屬。
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