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    高純鎳靶材

    材質(zhì):鎳(Ni)含量≥99.9%

    執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn): STM B160、ISO 6283、GB/T 5235、SJ/T 11485

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    發(fā)布日期: 2023-07-21 16:25:44

    全國(guó)熱線: 0917-3376170

    詳細(xì)描述 / Detailed description

    1、定義與材質(zhì)

    定義:

    高純鎳靶材是以純度≥99.9%(通常為99.95%~99.999%)的金屬鎳為原料,通過(guò)熔煉、鍛造、軋制等工藝制成的片狀或塊狀材料,主要用于物理氣相沉積(PVD)、磁控濺射等鍍膜工藝。

    材質(zhì)特性:

    成分:鎳(Ni)含量≥99.9%,雜質(zhì)元素(如Fe、C、S、O等)嚴(yán)格控制在ppm級(jí)。

    形態(tài):常見(jiàn)為圓形、矩形或異形靶材,表面需高精度拋光(粗糙度Ra≤0.8μm)。

    2、性能與特點(diǎn)

    核心性能:

    高導(dǎo)電性:鎳的電阻率低(6.9×10?? Ω·m),適合高頻電子器件鍍膜。

    耐腐蝕性:在常溫下對(duì)酸、堿、鹽溶液及大氣腐蝕有良好抗性。

    高熔點(diǎn)(1455℃):適用于高溫濺射環(huán)境。

    強(qiáng)結(jié)合力:鍍膜與基材附著力優(yōu)異。

    獨(dú)特優(yōu)勢(shì):

    濺射速率快,膜層均勻致密;

    可加工成復(fù)雜形狀,兼容多種鍍膜設(shè)備;

    高純度確保鍍膜低缺陷,適用于精密電子領(lǐng)域。

    3、應(yīng)用領(lǐng)域

    半導(dǎo)體制造:用于集成電路(IC)中的金屬互連層、阻擋層。

    顯示面板:TFT-LCD、OLED的電極鍍膜。

    太陽(yáng)能電池:薄膜太陽(yáng)能電池的背電極材料。

    光學(xué)鍍膜:鏡面反射涂層、防反射膜。

    磁性材料:磁記錄介質(zhì)(如硬盤(pán))的磁性層。

    裝飾鍍層:手機(jī)外殼、珠寶的耐磨裝飾鍍膜。

    4、執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)

    國(guó)際標(biāo)準(zhǔn):

    ASTM B160(鎳及鎳合金棒材標(biāo)準(zhǔn));

    ISO 6283(金屬靶材表面質(zhì)量規(guī)范)。

    國(guó)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn):

    GB/T 5235(高純鎳靶材技術(shù)要求);

    SJ/T 11485(電子行業(yè)濺射靶材標(biāo)準(zhǔn))。

    5、與其他靶材的區(qū)別

    靶材類型核心特性主要應(yīng)用領(lǐng)域對(duì)比高純鎳靶材
    鈦靶材輕質(zhì)、耐高溫氧化航空航天、生物醫(yī)療鈦更輕,但導(dǎo)電性差,需摻雜使用。
    鋯靶材耐腐蝕、中子吸收核工業(yè)、化工防腐鋯耐蝕性更強(qiáng),但成本高,加工難度大。
    鉭靶材高熔點(diǎn)、耐酸堿半導(dǎo)體阻擋層、電容器鉭更耐蝕,但價(jià)格昂貴,濺射速率低。
    鈮靶材超導(dǎo)性能、低溫韌性超導(dǎo)材料、航空航天鈮超導(dǎo)性突出,但純度要求更高。
    鋁靶材輕質(zhì)、低成本反射鏡、包裝材料鋁成本低,但硬度低,耐磨性差。
    銅靶材超高導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性芯片互連、散熱涂層銅導(dǎo)電性優(yōu)于鎳,但易氧化,需加阻擋層。

    6、前景展望與深度應(yīng)用需求

    1)技術(shù)趨勢(shì):

    半導(dǎo)體小型化:3nm以下制程對(duì)高純鎳靶材的純度(≥99.999%)和晶粒均勻性提出更高要求。

    新能源擴(kuò)展:固態(tài)電池電極鍍膜、氫能催化層需求增長(zhǎng)。

    先進(jìn)顯示技術(shù):Micro LED巨量轉(zhuǎn)移中的金屬鍵合層依賴高精度鎳鍍膜。

    2)挑戰(zhàn)與機(jī)遇:

    國(guó)產(chǎn)替代:突破高純鎳提純技術(shù)(如區(qū)域熔煉法),降低進(jìn)口依賴;

    復(fù)合靶材開(kāi)發(fā):鎳基合金靶材(如Ni-Cr、Ni-Ti)滿足多功能鍍膜需求。

    7、選購(gòu)方法與注意事項(xiàng)

    1)選購(gòu)要點(diǎn):

    純度驗(yàn)證:要求供應(yīng)商提供ICP-MS檢測(cè)報(bào)告(雜質(zhì)含量≤100ppm);

    晶粒尺寸:均勻的納米級(jí)晶粒(≤50nm)可提升鍍膜質(zhì)量;

    密度控制:靶材密度≥8.9g/cm3(接近理論值8.908g/cm3);

    供應(yīng)商資質(zhì):優(yōu)先選擇通過(guò)ISO 9001和IATF 16949認(rèn)證的廠商。

    2)使用注意事項(xiàng):

    存儲(chǔ):真空包裝,避免氧化和表面污染;

    安裝:靶材與背板需緊密貼合,防止濺射過(guò)程中局部過(guò)熱;

    工藝匹配:根據(jù)設(shè)備功率調(diào)整濺射參數(shù)(如氣壓、功率密度),減少結(jié)瘤問(wèn)題。

    高純鎳靶材憑借其優(yōu)異的導(dǎo)電性、耐腐蝕性和鍍膜性能,在半導(dǎo)體、新能源等領(lǐng)域占據(jù)重要地位。與鈦、鋯等靶材相比,其在成本與性能間實(shí)現(xiàn)了較好平衡。未來(lái)隨著技術(shù)迭代,高純鎳靶材的純度提升和復(fù)合化將是主要發(fā)展方向。

    建議用戶:根據(jù)具體應(yīng)用場(chǎng)景(如鍍膜厚度、基材類型)選擇靶材規(guī)格,優(yōu)先與具備定制化能力的供應(yīng)商合作,并定期檢測(cè)靶材使用后的表面狀態(tài)以優(yōu)化工藝。

    產(chǎn)品相冊(cè) / Product album
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